Datasheet STB155N3H6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB155N3H6

Наименование модели: STB155N3H6

Купить STB155N3H6 на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 212 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Стандарт СИЗ Россия	STB155N3H6 STMicroelectronics	67 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	STB155N3H6 STMicroelectronics	135 ₽
AiPCBA Весь мир	STB155N3H6 STMicroelectronics	208 ₽
Utmel Весь мир	STB155N3H6 STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 80 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB155N3H6 STD155N3H6
N-channel 30 V, 2.5 m , 80 A, DІPAK, DPAK STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order codes STB155N3H6 STD155N3H6 VDSS 30 V 30 V RDS(on) max < 3 m < 3 m ID 80 A (1) 80 A (1)
3 1

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 80 А
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 0.0025 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-263
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 110 Вт
RoHS: да
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)