Datasheet STB15NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 14 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB15NM60ND
![]() 15 предложений от 14 поставщиков TO-263-3, D虏Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |||
STB15NM60ND STMicroelectronics | от 109 ₽ | ||
STB15NM60ND STMicroelectronics | 224 ₽ | ||
STB15NM60ND STMicroelectronics | по запросу | ||
STB15NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 14 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB15NM60ND - STF/I15NM60ND STP15NM60ND - STW15NM60ND
N-channel 600 V - 0.27 - 14 A - FDmeshTM II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STB15NM60ND STF15NM60ND STI15NM60ND STP15NM60ND STW15NM60ND VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID 14 A 14 A 14 A(1) 14 A 14 A
3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 14 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.27 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)