Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet STB18NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 13 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB18NM60N

Наименование модели: STB18NM60N

17 предложений от 14 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK. N-Channel 600V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
STB18NM60N
STMicroelectronics
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
STB18NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
STB18NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Augswan
Весь мир
STB18NM60N
STMicroelectronics
по запросу
MAX13487 от JSMICRO – трансивер RS-485 с автоматическим определением направления передачи

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 13 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB18NM60N, STF18NM60N, STI18NM60N STP18NM60N, STW18NM60N
N-channel 600 V, 0.27 13 A MDmeshTM II Power MOSFET , in TO-220, TO-220FP, TO-247, DІPAK and IІPAK
Features
Order codes STB18NM60N STF18NM60N STI18NM60N STP18NM60N STW18NM60N
VDSS (@Tjmax)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 13 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.26 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 110 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB18NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 13 A, D2PAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка