Datasheet STB18NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 17 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB18NM80
![]() 31 предложений от 19 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 17 А, 0.25 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
STB18NM80 STMicroelectronics | от 72 ₽ | ||
STB18NM80 STMicroelectronics | 328 ₽ | ||
STB18NM80 STMicroelectronics | 416 ₽ | ||
STB18NM80 STMicroelectronics | 562 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 17 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB18NM80, STF18NM80, STP18NM80, STW18NM80
N-channel 800 V, 0.25 17 A, MDmeshTM Power MOSFET , in DІPAK, TO-220FP, TO-220 and TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
Order codes STB18NM80 STF18NM80 STP18NM80 STW18NM80 VDSS 800 V 800 V 800 V 800 V RDS(on) max < 0.295 < 0.295 < 0.295 < 0.295 ID
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 17 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On Resistance Rds(on): 0.25 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 190 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)