Datasheet STB21NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB21NM60ND
![]() 33 предложений от 20 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STB21NM60ND Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.17Ω, 10V, 4V | |||
STB21NM60ND STMicroelectronics | 182 ₽ | ||
STB21NM60ND-VB | 283 ₽ | ||
STB21NM60ND STMicroelectronics | 510 ₽ | ||
STB21NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STP/F21NM60ND-STW21NM60ND STB21NM60ND-STI21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 17 A FDmeshTM II Power MOSFET , 2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 D
Features
Type STB21NM60ND STI21NM60ND STF21NM60ND STP21NM60ND STW21NM60ND VDSS @ TJmax 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max < 0.22 < 0.22 < 0.22 < 0.22 < 0.22 ID
3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 17 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 140 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)