HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STB21NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB21NM60ND

Наименование модели: STB21NM60ND

23 предложений от 13 поставщиков
STMICROELECTRONICS STB21NM60ND Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.17Ω, 10V, 4V
STB21NM60ND
STMicroelectronics
60 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB21NM60ND
STMicroelectronics
166 ₽
Utmel
Весь мир
STB21NM60ND
STMicroelectronics
от 491 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STB21NM60ND
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP/F21NM60ND-STW21NM60ND STB21NM60ND-STI21NM60ND
N-channel 600 V, 0.17 17 A FDmeshTM II Power MOSFET , 2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 D
Features
Type STB21NM60ND STI21NM60ND STF21NM60ND STP21NM60ND STW21NM60ND VDSS @ TJmax 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max < 0.22 < 0.22 < 0.22 < 0.22 < 0.22 ID
3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.17 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 140 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB21NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 17 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России