Datasheet STB23NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 17 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB23NM50N
![]() 41 предложений от 20 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 500 В, 17 А, 0.162 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
STB23NM50N STMicroelectronics | от 75 ₽ | ||
STB23NM50N STMicroelectronics | от 188 ₽ | ||
STB23NM50N STMicroelectronics | 331 ₽ | ||
STB23NM50N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 17 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB23NM50N, STF23NM50N STP23NM50N, STW23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 17 A TO-220, TO-220FP, TO-247, DІPAK , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STB23NM50N STF23NM50N STP23NM50N STW23NM50N
VDSS (@Tjmax)
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 17 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 0.162 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)