ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet STB24NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB24NM60N

Наименование модели: STB24NM60N

21 предложений от 11 поставщиков
STMICROELECTRONICS STB24NM60N Power MOSFET, N Channel, 17A, 600V, 0.168Ω, 10V, 3V
STB24NM60N
STMicroelectronics
71 ₽
Akcel
Весь мир
STB24NM60N
STMicroelectronics
от 118 ₽
AiPCBA
Весь мир
STB24NM60N
STMicroelectronics
311 ₽
ChipWorker
Весь мир
STB24NM60N
STMicroelectronics
317 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 17 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB24NM60N
N-channel 600 V, 0.168 17 A MDmeshTM II Power MOSFET , DІPAK
Features
Order codes STB24NM60N
VDSS (@Tjmax) 650 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 17 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.168 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STB24NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 17 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России