Datasheet STB25NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB25NM60ND
![]() 16 предложений от 15 поставщиков TO-263-3, D虏Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |||
STB25NM60ND STMicroelectronics | 2 273 ₽ | ||
STB25NM60ND STMicroelectronics | по запросу | ||
STB25NM60ND MOS STMicroelectronics | по запросу | ||
STB25NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STx25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 21 A FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
TAB
Type STB25NM60ND STF25NM60ND STP25NM60ND STW25NM60ND
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.13 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 160 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)