Datasheet STB25NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK — Даташит

Купить STB25NM60ND на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 1 478 ₽ 18 предложений от 12 поставщиков N-channel 600 V, 0.13 Ohm, 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode)
AliExpress Весь мир	Новинка, оригинальный МОП-транзистор STB25NM60N STB25NM60ND B25NM60N 25NM60ND TO-263 25A 600V,	48 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	STB25NM60ND STMicroelectronics	75 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STB25NM60ND STMicroelectronics	397 ₽	Купить
Akcel Весь мир	STB25NM60ND STMicroelectronics	от 1 467 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 21 A FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
TAB
Type STB25NM60ND STF25NM60ND STP25NM60ND STW25NM60ND

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 21 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 0.13 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-263
• Полярность транзистора: N Channel
• Рассеиваемая мощность: 160 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)