Datasheet STB26NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB26NM60N
![]() 31 предложений от 17 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12,6А; Idm: 80А; 140Вт; D2PAK | |||
STB26NM60N STMicroelectronics | от 111 ₽ | ||
STB26NM60N STMicroelectronics | 330 ₽ | ||
STB26NM60N STMicroelectronics | 372 ₽ | ||
STB26NM60N STMicroelectronics | 673 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 20 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB26NM60N, STF26NM60N, STI26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 typ., 20 A MDmeshTM II Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220, TO-220FP and TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STI26NM60N STP26NM60N STW26NM60N
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.135 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 140 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)