Datasheet STB34NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB34NM60N
![]() 22 предложений от 17 поставщиков STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V | |||
STB34NM60N STMicroelectronics | 601 ₽ | ||
STB34NM60N STMicroelectronics | 642 ₽ | ||
STB34NM60N STMicroelectronics | 1 043 ₽ | ||
STB34NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 29 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB34NM60N, STF34NM60N, STP34NM60N, STW34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 29 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DІPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 packages
Datasheet -- production data
Features
TAB
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 29 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.092 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 210 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)