Datasheet STB8N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB8N65M5
![]() 32 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 4,4А; 70Вт; D2PAK | |||
STB8N65M5 STMicroelectronics | 145 ₽ | ||
STB8N65M5 STMicroelectronics | 240 ₽ | ||
STB8N65M5 STMicroelectronics | от 517 ₽ | ||
STB8N65M5 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5 STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5
N-channel 650 V, 0.56 7 A MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAK
Features
Type STB8N65M5 STD8N65M5 STF8N65M5 STI8N65M5 STP8N65M5 STU8N65M5
VDSS @ TJmax
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.56 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)