Datasheet STB9NK50ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 500 В, 7.2 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: STB9NK50ZT4
![]() 38 предложений от 21 поставщиков Description - https://www.st.com/content/st_com/en/products/power-transistors/power-mosfets/n-channel-mdmesh-gt350-v-to-700-v/stb9nk50z.html. Датакод - 1345 | |||
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics | 27 ₽ | ||
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics | 111 ₽ | ||
STB9NK50ZT4 STMicroelectronics | от 157 ₽ | ||
STB9NK50ZT4 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 500 В, 7.2 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
STP9NK50Z - STP9NK50ZFP STB9NK50Z - STB9NK50Z-1
N-CHANNEL 500V - 0.72 - 7.2A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
TYPE STP9NK50Z STP9NK50ZFP STB9NK50Z STB9NK50Z-1
s s s s s s
VDSS 500 500 500 500 V V V V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 7.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 500 В
- On Resistance Rds(on): 0.72 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 110 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)