Datasheet STD10NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD10NM60ND
![]() 46 предложений от 21 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STD10NM60ND Power MOSFET, N Channel, 8A, 600V, 0.57Ω, 10V, 4V | |||
STD10NM60ND STMicroelectronics | 69 ₽ | ||
STD10NM60ND STMicroelectronics | от 71 ₽ | ||
STD10NM60ND STMicroelectronics | от 74 ₽ | ||
STD10NM60ND STMicroelectronics | 200 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STD10NM60ND, STF10NM60ND STP10NM60ND
N-channel 600 V, 0.57 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 , FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode)
Features
Order codes STD10NM60ND STF10NM60ND STP10NM60ND
VDSS @TJmax 650 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.57 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)