Datasheet STD11NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD11NM60ND
![]() 36 предложений от 19 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 6,3А; 90Вт; DPAK | |||
STD11NM60ND-VB | 142 ₽ | ||
STD11NM60ND STMicroelectronics | 317 ₽ | ||
STD11NM60ND STMicroelectronics | 331 ₽ | ||
STD11NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STD11NM60ND, STF/I11NM60ND STP11NM60ND, STU11NM60ND
N-channel 600 V, 0.37 10 A, FDmeshTM II Power MOSFET , 2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK I
Features
Order codes STD11NM60ND STF11NM60ND STI11NM60ND STP11NM60ND STU11NM60ND VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID 10 A 10 A(1) 10 A 10 A 10 A
3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)