Электромагнитные зуммеры KEEN SIDE

Datasheet STD11NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD11NM60ND

Наименование модели: STD11NM60ND

37 предложений от 18 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK. N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount DPAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Рутоника
Россия и страны СНГ
STD11NM60ND
STMicroelectronics
110 ₽
ChipWorker
Весь мир
STD11NM60ND
STMicroelectronics
121 ₽
ЧипСити
Россия
STD11NM60ND
STMicroelectronics
121 ₽
Эиком
Россия
STD11NM60ND
STMicroelectronics
от 328 ₽
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD11NM60ND, STF/I11NM60ND STP11NM60ND, STU11NM60ND
N-channel 600 V, 0.37 10 A, FDmeshTM II Power MOSFET , 2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK I
Features
Order codes STD11NM60ND STF11NM60ND STI11NM60ND STP11NM60ND STU11NM60ND VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID 10 A 10 A(1) 10 A 10 A 10 A
3 1

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STD11NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 10 A, DPAK

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка