Datasheet STD16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD16N65M5
![]() 51 предложений от 25 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 12 А, 0.23 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount | |||
STD16N65M5 ST DPAK(TO252) STMicroelectronics | от 193 ₽ | ||
STD16N65M5 STMicroelectronics | 231 ₽ | ||
STD16N65M5 STMicroelectronics | от 382 ₽ | ||
STD16N65M5 STMicroelectronics | от 503 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STB16N65M5 STD16N65M5
N-channel 650 V, 0.230 12 A MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, DPAK
Features
Type STB16N65M5 STD16N65M5
VDSS @ TJmax 710 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.23 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)