HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STD16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD16N65M5

Наименование модели: STD16N65M5

33 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 12 А, 0.23 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD16N65M5
STMicroelectronics
44 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD16N65M5
STMicroelectronics
99 ₽
ChipWorker
Весь мир
STD16N65M5
STMicroelectronics
186 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STD16N65M5
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB16N65M5 STD16N65M5
N-channel 650 V, 0.230 12 A MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, DPAK
Features
Type STB16N65M5 STD16N65M5
VDSS @ TJmax 710 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 12 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 0.23 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 90 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STD16N65M5 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 650 V, 12 A, DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России