Datasheet STD4N62K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 620 В, 3.8 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: STD4N62K3
![]() 57 предложений от 24 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STD4N62K3 Power MOSFET, N Channel, 3.8A, 620V, 1.7Ω, 10V, 3.75V | |||
STD4N62K3 STMicroelectronics | 45 ₽ | ||
STD4N62K3 STMicroelectronics | 51 ₽ | ||
STD4N62K3 STMicroelectronics | от 151 ₽ | ||
STD4N62K3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 620 В, 3.8 А, DPAK
Краткое содержание документа:
STB4N62K3, STD4N62K3
N-channel 620 V, 1.7 3.8 A SuperMESH3TM Power MOSFET , in D2PAK and DPAK packages
Datasheet -- production data
Features
Order codes STB4N62K3 STD4N62K3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 3.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 620 В
- On Resistance Rds(on): 1.7 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-252
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)