Datasheet STH180N10F3-6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 180 А, H2PAK — Даташит
Наименование модели: STH180N10F3-6
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STH180N10F3-6 MOSFET Transistor, N Channel, 180A, 100V, 0.0039Ω, 10V, 2V | |||
STH180N10F3-6 STMicroelectronics | 186 ₽ | ||
STH180N10F3-6 STMicroelectronics | 343 ₽ | ||
STH180N10F3-6 STMicroelectronics | по запросу | ||
STH180N10F3-6 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 180 А, H2PAK
Краткое содержание документа:
STH180N10F3-6
N-channel 100 V, 3.9 m 180 A, HІPAK-6 , STripFETTMIII Power MOSFET
Features
Order codes STH180N10F3-6
VDSS 100 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 180 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: H2PAK-6
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 315 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Варианты написания:
STH180N10F36, STH180N10F3 6