Datasheet STH180N10F3-6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 180 А, H2PAK — Даташит

STMicroelectronics STH180N10F3-6

Наименование модели: STH180N10F3-6

Купить STH180N10F3-6 на РадиоЛоцман.Цены — от 212 до 892 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK
T-electron Россия и страны СНГ	STH180N10F3-6 STMicroelectronics	212 ₽
AiPCBA Весь мир	STH180N10F3-6 STMicroelectronics	444 ₽
Acme Chip Весь мир	STH180N10F3-6 STMicroelectronics	по запросу
ЭлектроПласт Россия	STH180N10F3-6 STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 180 А, H2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STH180N10F3-6
N-channel 100 V, 3.9 m 180 A, HІPAK-6 , STripFETTMIII Power MOSFET
Features
Order codes STH180N10F3-6
VDSS 100 V

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: 180 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 0.0039 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 8
Корпус транзистора: H2PAK-6
Полярность транзистора: N Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 315 Вт
RoHS: да
SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

STH180N10F36, STH180N10F3 6