Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet STH210N75F6-2 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 180 А, H2PAK

STMicroelectronics STH210N75F6-2

Наименование модели: STH210N75F6-2

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 180 А, H2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STH210N75F6-2
N-channel 75 V, 2.7 m typ., 180 A STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET in HІPAK-2 package
Datasheet -- production data
Features
Order code STH210N75F6-2

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 180 А
  • Drain Source Voltage Vds: 75 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0022 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: H2PAK-2
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 300 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

Варианты написания:

STH210N75F62, STH210N75F6 2

На английском языке: Datasheet STH210N75F6-2 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 75 V, 180 A, H2PAK

    MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанSTMicroelectronics269 руб.
    ДКО ЭлектронщикSTMicroelectronicsпо запросу
    МосЧипSTMicroelectronicsпо запросу
    Кремнийпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
Осциллограф Rohde Schwarz RTB2002
Осциллограф Rohde&Schwarz RTB2002
2 канала, 70 МГц, память 20 Мб, частота дискретизации 2,5 ГГц. Емкостной цветной сенсорный, диагональю 10.1 дюймов
Цена: от 128 тыс. руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DC-DC повышающий регулируемый преобразователь питания на MT3608
DC-DC регулируемый преобразователь питания
на MT3608
Входное напряжение: 2В-24В
Выходное напряжение: 4В-28В
Входной ток: 2А
Цена: от 22 руб.
Доставка: Весь мир / Россия
Конференция Технологии разработки и отладки сложных технических систем
Конференция «Технологии разработки и отладки сложных технических систем»
Модельно-ориентированное проектирования в области САУ и ЦОС
Дата: 27 и 28 марта 2018 г.
Место: Москва, МГТУ им. Баумана
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru