Datasheet STI10N62K3 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 8.4 А, I2PAK — Даташит
Наименование модели: STI10N62K3
![]() 18 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, STMICROELECTRONICS STI10N62K3 Power MOSFET, N Channel, 8.4A, 620V, 0.68Ω, 10V, 3.75V | |||
STI10N62K3 STMicroelectronics | от 95 ₽ | ||
STI10N62K3 STMicroelectronics | 128 ₽ | ||
STI10N62K3 STMicroelectronics | 169 ₽ | ||
STI10N62K3 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 8.4 А, I2PAK
Краткое содержание документа:
STF10N62K3, STFI10N62K3, STI10N62K3, STP10N62K3
N-channel 620 V, 0.68 typ., 3.8 A SuperMESH3TM Power MOSFET in TO-220FP, IІPAKFP, IІPAK, TO-220 packages
Datasheet - production data
Features
Type STF10N62K3 STFI10N62K3 STI10N62K3 STP10N62K3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 8.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 620 В
- On Resistance Rds(on): 0.68 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)