Datasheet STI13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, I2PAK — Даташит
Наименование модели: STI13NM60N
![]() 29 предложений от 14 поставщиков MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK. N-Channel 600V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I2PAK. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
STI13NM60N STMicroelectronics | 74 ₽ | ||
STI13NM60N STMicroelectronics | 150 ₽ | ||
STI13NM60N STMicroelectronics | от 177 ₽ | ||
STI13NM60N STMicroelectronics | от 1 296 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 11 А, I2PAK
Краткое содержание документа:
STx13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 11 A MDmeshTM II Power MOSFET , in DІPAK, DPAK, TO-220FP, IІPAK, TO-220, IPAK, TO-247
Features
TAB
TAB 3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.28 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)