Datasheet STI16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, I2PAK 
Наименование модели: STI16N65M5 Производитель: STMicroelectronics Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, I2PAK Скачать Data Sheet
Краткое содержание документа: STF16N65M5, STI16N65M5 STP16N65M5,STU16N65M5,STW16N65M5 N-channel 650 V, 0.230 12 A MDmeshTM V Power MOSFET , in TO-220FP, IІPAK, TO-220, IPAK, TO-247 Features TAB TAB
Спецификации: - Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.23 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 25 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А, 0.299 Ом
Рекомендуемые материалы по теме: - Datasheet STB16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, D2PAK
- Datasheet STD16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, DPAK
- Datasheet STF16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, TO 220FP
- Datasheet STL16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, HV, POWERFLAT
- Datasheet STP16N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 12 А, TO 220
При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна. Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта. |
|