Datasheet STI35N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 27 А, I2PAK — Даташит
Наименование модели: STI35N65M5
![]() 19 предложений от 12 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
STI35N65M5 STMicroelectronics | 630 ₽ | ||
STI35N65M5 STMicroelectronics | 1 873 ₽ | ||
STI35N65M5 STMicroelectronics | по запросу | ||
STI35N65M5 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 27 А, I2PAK
Краткое содержание документа:
STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5 STP35N65M5, STW35N65M5
N-channel 650 V, 0.085 27 A, MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, TO-220FP, IІPAK, TO-220, TO-247
Features
Type STB35N65M5 STF35N65M5 STI35N65M5 STP35N65M5 STW35N65M5 VDSS @ TJMAX 710 V 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max.
< 0.098 < 0.098 < 0.098 < 0.098 < 0.098 ID
1 3
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 27 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.085 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 160 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)