Datasheet STI8N65M5 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, I2PAK — Даташит
Наименование модели: STI8N65M5
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3Pin(3+Tab) I2PAK Tube | |||
STI8N65M5 STMicroelectronics | от 14 ₽ | ||
STI8N65M5 STMicroelectronics | 103 ₽ | ||
STI8N65M5 STMicroelectronics | по запросу | ||
STI8N65M5 STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 650 В, 7 А, I2PAK
Краткое содержание документа:
STB8N65M5, STD8N65M5, STF8N65M5 STI8N65M5, STP8N65M5, STU8N65M5
N-channel 650 V, 0.56 7 A MDmeshTM V Power MOSFET , in DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, DPAK and IPAK
Features
Type STB8N65M5 STD8N65M5 STF8N65M5 STI8N65M5 STP8N65M5 STU8N65M5
VDSS @ TJmax
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 7 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 0.56 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-262
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)