Datasheet 2N5684 - NTE Electronics Даташит Транзистор, PNP, 80 В, 50 А, TO-204AA-2 — Даташит
Наименование модели: 2N5684
![]() 37 предложений от 23 поставщиков NTE ELECTRONICS 2N5684 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80V, 2MHz, 300W, 50A, 5 hFE | |||
2N5684G ON Semiconductor | 541 ₽ | ||
2N5684G ON Semiconductor | от 1 747 ₽ | ||
2N5684G ON Semiconductor | от 1 767 ₽ | ||
2N5684JTX ON Semiconductor | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NTE Electronics
Описание: Транзистор, PNP, 80 В, 50 А, TO-204AA-2
Краткое содержание документа:
NTE29 (NPN) & NTE30 (PNP) Silicon Complementary Transistors High Power, High Current Switch
Description: The NTE29 (NPN) and NTE30 (PNP) are compelmentary power transistors in a TO3 type case designed for use in high power amplifier and switching circuit applications.
Features: D High Current Capability: IC = 50A (Continuous) D DC Current Gain: hFE= 15 to 60 @ IC = 25A D Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1V Max @ IC = 25A Absolute Maximum Ratings: Collector-Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Collector-Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V Emitter-Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80 В
- DC Collector Current: 50 А
- Количество выводов: 2
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +200°C
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- RoHS: да