LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet STL23NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19.5 А, POWERFLAT — Даташит

STMicroelectronics STL23NM60ND

Наименование модели: STL23NM60ND

12 предложений от 9 поставщиков
STMICROELECTRONICS STL23NM60ND Power MOSFET, N Channel, 19.5A, 600V, 0.15Ω, 10V, 4V
STL23NM60ND
STMicroelectronics
144 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STL23NM60ND
STMicroelectronics
216 ₽
Akcel
Весь мир
STL23NM60ND
STMicroelectronics
от 359 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STL23NM60ND
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19.5 А, POWERFLAT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STL23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 , 19.5 A, FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode) PowerFLATTM (8x8) HV
Preliminary data
Features
Type STL23NM60ND VDSS (@Tjmax) 650 V RDS(on) max < 0.180 ID 19.5 A(1)

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 19.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: PowerFLAT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STL23NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 19.5 A, POWERFLAT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России