Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STL26NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19 А, POWERFLAT — Даташит

STMicroelectronics STL26NM60N

Наименование модели: STL26NM60N

19 предложений от 12 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 600В 19A
T-electron
Россия и страны СНГ
STL26NM60N
STMicroelectronics
158 ₽
ЧипСити
Россия
STL26NM60N
STMicroelectronics
183 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
STL26NM60N
по запросу
Acme Chip
Весь мир
STL26NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19 А, POWERFLAT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STL26NM60N
N-channel 600 V, 0.160 19 A PowerFLATTM 8x8 HV , ultra low gate charge MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order code STL26NM60N VDSS @ TJmax 650 V RDS(on) max < 0.185 ID 19 A (1)
1.

The value is rated according to Rthj-case

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 19 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.16 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: PowerFLAT
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STL26NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 19 A, POWERFLAT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России