Datasheet STP10NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO220 — Даташит
Наименование модели: STP10NM60N
![]() 50 предложений от 23 поставщиков Труба MOS, N-channel 600V, 0.53Ω, 10A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmeshTM II Power MOSFET | |||
STP10NM60N STMicroelectronics | 167 ₽ | ||
STP10NM60N STMicroelectronics | от 167 ₽ | ||
STP10NM60N STMicroelectronics | от 274 ₽ | ||
STP10NM60N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO220
Краткое содержание документа:
STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STD10NM60N STF10NM60N STP10NM60N STU10NM60N
VDSS @TJmax
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.53 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)