HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STP10NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO220 — Даташит

STMicroelectronics STP10NM60N

Наименование модели: STP10NM60N

36 предложений от 16 поставщиков
N-channel 600V, 0.53Ω, 10A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK MDmeshTM II Power MOSFET
STP10NM60N
STMicroelectronics
25 ₽
Элитан
Россия
STP10NM60N
STMicroelectronics
59 ₽
STP10NM60N
STMicroelectronics
от 62 ₽
Utmel
Весь мир
STP10NM60N
STMicroelectronics
от 235 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD10NM60N, STF10NM60N STP10NM60N, STU10NM60N
N-channel 600 V, 0.53 10 A, DPAK, TO-220, TO-220FP, IPAK , MDmeshTM II Power MOSFET
Features
Order codes STD10NM60N STF10NM60N STP10NM60N STU10NM60N
VDSS @TJmax

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.53 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STP10NM60N - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 8 A, TO220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России