Datasheet STP10NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO 220 — Даташит
Наименование модели: STP10NM60ND
![]() 28 предложений от 16 поставщиков MOSFET N-CH 600V 8A TO-220. N-Channel 600V 8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
STP10NM60ND STMicroelectronics | 62 ₽ | ||
STP10NM60ND STMicroelectronics | от 178 ₽ | ||
STP10NM60ND STMicroelectronics | 182 ₽ | ||
STP10NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 8 А, TO 220
Краткое содержание документа:
STD10NM60ND, STF10NM60ND STP10NM60ND
N-channel 600 V, 0.57 8 A, DPAK, TO-220FP, TO-220 , FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode)
Features
Order codes STD10NM60ND STF10NM60ND STP10NM60ND
VDSS @TJmax 650 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.57 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 70 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)