Datasheet STP11NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, TO 220 — Даташит
Наименование модели: STP11NM60ND
![]() 42 предложений от 20 поставщиков Труба MOS, N-channel 600V, 0.37Ω, 10A, FDmeshTM II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK | |||
STP11NM60ND STMicroelectronics | 154 ₽ | ||
STP11NM60ND STMicroelectronics | от 400 ₽ | ||
STP11NM60ND STMicroelectronics | по запросу | ||
STP11NM60ND Texas Instruments | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 10 А, TO 220
Краткое содержание документа:
STD11NM60ND, STF/I11NM60ND STP11NM60ND, STU11NM60ND
N-channel 600 V, 0.37 10 A, FDmeshTM II Power MOSFET , 2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK I
Features
Order codes STD11NM60ND STF11NM60ND STI11NM60ND STP11NM60ND STU11NM60ND VDSS (@Tjmax) RDS(on) max ID 10 A 10 A(1) 10 A 10 A 10 A
3 1
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.37 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 90 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)