Datasheet STP210N75F6 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, TO 220AB — Даташит
Наименование модели: STP210N75F6
![]() 18 предложений от 17 поставщиков MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB. N-Channel 75V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STP210N75F6 ST STMicroelectronics | 239 ₽ | ||
STP210N75F6 STMicroelectronics | 301 ₽ | ||
STP210N75F6 STMicroelectronics | 301 ₽ | ||
STP210N75F6 STMicroelectronics | 847 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 75 В, 120 А, TO 220AB
Краткое содержание документа:
STP210N75F6
N-channel 75 V, 3 m 120 A TO-220 , STripFETTM VI DeepGATETM Power MOSFET
Features
Order code STP210N75F6
VDSS 75 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 75 В
- On Resistance Rds(on): 0.003 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Рассеиваемая мощность: 300 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)