Datasheet STP25NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, TO 220 — Даташит
Наименование модели: STP25NM60ND
![]() 14 предложений от 11 поставщиков MOSFET N-CH 600V 21A TO-220. N-Channel 600V 21A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220AB. Transistors - FETs, MOSFETs - Single | |||
STP25NM60ND STMicroelectronics | по запросу | ||
STP25NM60ND STMicroelectronics | по запросу | ||
STP25NM60ND STMicroelectronics | по запросу | ||
STP25NM60ND STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 21 А, TO 220
Краткое содержание документа:
STx25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 21 A FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) in D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
TAB
Type STB25NM60ND STF25NM60ND STP25NM60ND STW25NM60ND
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 21 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.13 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-220
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 160 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)