Datasheet STS8C5H30L - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 8A/5.4A, 8SOIC — Даташит
Наименование модели: STS8C5H30L
![]() 18 предложений от 15 поставщиков Двойной МОП-транзистор, N и P Дополнение, 30 В, 8 А, 0.018 Ом, SOIC, Surface Mount | |||
STS8C5H30L STMicroelectronics | 30 ₽ | ||
STS8C5H30L STMicroelectronics | 38 ₽ | ||
STS8C5H30L STMicroelectronics | от 63 ₽ | ||
STS8C5H30L STMicroelectronics | 163 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, NP CH, 30 В, 8A/5.4A, 8SOIC
Краткое содержание документа:
STS8C5H30L
N-channel 30 V, 0.018 8 A, P-channel 30 V, 0.045 5 A SO-8 , , low gate charge STripFETTM III MOSFET
Features
Type STS8C5H30L(N-channel) STS8C5H30L(P-channel)
VDSS 30 V 30 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 8 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.018 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: SOIC
- Полярность транзистора: N and P Channel
- Рассеиваемая мощность: 1.6 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)