HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STW23NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19.5 А, TO 247 — Даташит

STMicroelectronics STW23NM60ND

Наименование модели: STW23NM60ND

10 предложений от 7 поставщиков
MOSFET N-channel 600V, 20A FDMesh II
Akcel
Весь мир
STW23NM60ND
STMicroelectronics
от 342 ₽
AiPCBA
Весь мир
STW23NM60ND
STMicroelectronics
635 ₽
Acme Chip
Весь мир
STW23NM60ND
STMicroelectronics
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
STW23NM60ND
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 19.5 А, TO 247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx23NM60ND
N-channel 600 V, 0.150 19.5 A, FDmeshTM II Power MOSFET , (with fast diode) DІPAK, IІPAK, TO-220, TO-220FP, TO-247
Features
Type STx23NM60ND
VDSS (@Tjmax) 650 V

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 19.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)

На английском языке: Datasheet STW23NM60ND - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 19.5 A, TO 247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России