Datasheet STW55NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 51 А, TO 247 — Даташит
Наименование модели: STW55NM60ND
![]() 35 предложений от 21 поставщиков N-channel 600 v - 0.047 ? - 51 a to-247 fdmeshTM ii power mosfet (with fast diode) | |||
STW55NM60ND | от 1 106 ₽ | ||
STW55NM60ND STMicroelectronics | 1 694 ₽ | ||
STW55NM60ND | по запросу | ||
STW55NM60ND | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 51 А, TO 247
Краткое содержание документа:
STW55NM60ND
N-channel 600 V - 0.047 - 51 A TO-247 FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode)
Features
Type STW55NM60ND
VDSS (@TJmax) 650 V
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 51 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On Resistance Rds(on): 0.047 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-247
- Полярность транзистора: N Channel
- Рассеиваемая мощность: 350 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)