Datasheet VS-FB190SA10 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 190 А, SOT-227 — Даташит
Наименование модели: VS-FB190SA10
![]() 12 предложений от 11 поставщиков Power MOSFET, 190 A | MOSFET N-CH 100V 190A SOT227 | |||
VS-FB190SA10 Vishay | 1 625 ₽ | ||
VS-FB190SA10 Vishay | 2 793 ₽ | ||
VSFB190SA10 | 168 833 ₽ | ||
VS-FB190SA10 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 190 А, SOT-227
Краткое содержание документа:
VS-FB190SA10
Vishay Semiconductors
Power MOSFET, 190 A
FEATURES
· Fully isolated package · Very low on-resistance · Fully avalanche rated · Dynamic dV/dt rating · Low drain to case capacitance
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 190 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0054 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.3 В
- Количество выводов: 4
- Корпус транзистора: SOT-227
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 568 Вт
- RoHS: да
Варианты написания:
VSFB190SA10, VS FB190SA10