HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet FQD2N80TM - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 800 В, 1.8 А, DPAK, RL — Даташит

Fairchild FQD2N80TM

Наименование модели: FQD2N80TM

19 предложений от 13 поставщиков
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD2N80TM N CHANNEL MOSFET, 800V, 1.8A
AiPCBA
Весь мир
FQD2N80TM
Fairchild
40 ₽
Akcel
Весь мир
FQD2N80TM
ON Semiconductor
от 43 ₽
Элитан
Россия
FQD2N80TM
ON Semiconductor
63 ₽
Контест
Россия
FQD2N80TM
130 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 800 В, 1.8 А, DPAK, RL

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FQD2N80 / FQU2N80
January 2008
QFET
®
FQD2N80 / FQU2N80

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 1.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 4.9 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet FQD2N80TM - Fairchild MOSFET, N-CH, 800 V, 1.8 A, DPAK, RL

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России