Datasheet PMDPB80XP - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118 — Даташит

Купить PMDPB80XP на РадиоЛоцман.Цены — от 2.71 до 21 ₽ 16 предложений от 12 поставщиков MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6. Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.7A 485mW Surface Mount 6-HUSON-EP (2x2). Transistors - FETs, MOSFETs...
AllElco Electronics Весь мир	PMDPB80XP,115 Nexperia	от 2.71 ₽	Купить
Maybo Весь мир	PMDPB80XP,115 Nexperia	8.19 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	PMDPB80XP NXP	16 ₽	Купить
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	PMDPB80XP,115 Nexperia	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMDPB80XP
') 1
20 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 30 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: -3.7 А
• Drain Source Voltage Vds: -20 В
• On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: -600 мВ
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 8
• Полярность транзистора: P Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 485 мВт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)