Datasheet PMDPB80XP - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118 — Даташит
Наименование модели: PMDPB80XP
Купить PMDPB80XP на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 1 110 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков MOSFET 2P-CH 20V 2.7A HUSON6 | |||
| PMDPB80XP,115 Nexperia | от 13 ₽ | ||
| PMDPB80XP,115 Nexperia | от 14 ₽ | ||
| PMDPB80XP NXP | 21 ₽ | ||
| PMDPB80XP115 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный P-CH, 20 В, SOT1118
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMDPB80XP
') 1
20 V, dual P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 30 May 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -3.7 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -600 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 485 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
