Datasheet PMN80XP - NXP Даташит Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT457 — Даташит
Наименование модели: PMN80XP
![]() 11 предложений от 9 поставщиков MOSFET P-CH 20V 2.5A SC-74 | |||
PMN80XP,115 Nexperia | от 4.07 ₽ | ||
PMN80XP,115 Nexperia | от 126 ₽ | ||
PMN80XP.115 | 440 ₽ | ||
PMN80XP,115 Nexperia | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, P-CH, 20 В, SOT457
Краткое содержание документа:
SO
T4 57
PMN80XP
20 V, single P-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 8 May 2012 Product data sheet
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: -3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: -20 В
- On Resistance Rds(on): 0.08 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: -750 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 6
- Корпус транзистора: TSOP
- Полярность транзистора: P Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 385 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)