Datasheet PMPB20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 — Даташит
Наименование модели: PMPB20EN
![]() 39 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 10.4 А, 0.0165 Ом, SOT-1220, Surface Mount | |||
PMPB20EN,115 Nexperia | от 2.37 ₽ | ||
PMPB20EN,115 Nexperia | от 20 ₽ | ||
PMPB20EN Nexperia | по запросу | ||
PMPB20EN,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220
Краткое содержание документа:
PMPB11EN
MD -6
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 10.4 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0165 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)