Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMPB20EN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220 — Даташит

NXP PMPB20EN

Наименование модели: PMPB20EN

31 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 10.4 А, 0.0165 Ом, SOT-1220, Surface Mount
AiPCBA
Весь мир
PMPB20EN/S500X
NXP
6.53 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMPB20EN/S500X
NXP
6.53 ₽
PMPB20EN,115
Nexperia
от 24 ₽
Utmel
Весь мир
PMPB20EN,115
Nexperia
от 31 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT1220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMPB11EN
MD -6
30 V N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 10.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0165 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 1.7 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMPB20EN - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, SOT1220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России