LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SJDA065R055 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 650 В, 30 А, TO220 — Даташит

SemiSouth SJDA065R055

Наименование модели: SJDA065R055

Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-ON, 650 В, 30 А, TO220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SJDA065R055
Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 ° C - RDS(on) max of 0.055 - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Capacitance
G(1)

Спецификации:

  • Breakdown Voltage Vbr: 650 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 114 Вт
  • Тип транзистора: JFET
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SJDA065R055 - SemiSouth JFET, SIC, N-ON, 650 V, 30 A, TO220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России