Datasheet SJDP170R1400 - SemiSouth Даташит JFET, SIC, N-ON, 1700 В, 3 А, TO247 — Даташит

Подробное описание

Производитель: SemiSouth

Описание: JFET, SIC, N-ON, 1700 В, 3 А, TO247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Silicon Carbide
SJDP170R1400
Normally-On Trench Silicon Carbide Power JFET
Features: - Positive Temperature Coefficient for Ease of Paralleling - Extremely Fast Switching with No "Tail" Current at 150 ° C - RDS(on) max of 1.40 - Voltage Controlled - Low Gate Charge - Low Intrinsic Capacitance
4

Спецификации:

• Breakdown Voltage Vbr: 1.7 кВ
• Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 35 Вт
• Тип транзистора: JFET
• RoHS: да