Datasheet NGTB15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, W/ диод, TO-220-3 — Даташит

Купить NGTB15N60S1EG на РадиоЛоцман.Цены — от 59 до 768 ₽ 15 предложений от 15 поставщиков IGBT 600V 30A 117W TO220-3. IGBT NPT 600V 30A 117W Through Hole TO-220. Transistors - IGBTs - Single
ЧипСити Россия	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	129 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	NGTB15N60S1EG	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, W/ диод, TO-220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications.

Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged reverse recovery diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• DC Collector Current: 30 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 117 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)