Datasheet NGTB15N60S1EG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 600 В, 15 А, W/ диод, TO-220-3 — Даташит

Купить NGTB15N60S1EG на РадиоЛоцман.Цены — от 112 до 765 ₽ 14 предложений от 13 поставщиков Транзистор IGBT, Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 117000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Lixinc Electronics Весь мир	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	от 112 ₽	Купить
ЧипСити Россия	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	129 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	129 ₽	Купить
Maybo Весь мир	NGTB15N60S1EG ON Semiconductor	765 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 600 В, 15 А, W/ диод, TO-220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB15N60S1EG IGBT - Short-Circuit Rated
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Non-Punch Through (NPT) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications.

Offering both low on state voltage and minimal switching loss, the IGBT is well suited for motor drive control and other hard switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged reverse recovery diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.5 В
• DC Collector Current: 30 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 117 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)