Datasheet NGTB20N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3 — Даташит

Купить NGTB20N120LWG на РадиоЛоцман.Цены — от 129 до 1 065 ₽ 14 предложений от 14 поставщиков IGBT 1200V 40A 192W TO247-3. IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 192W Through Hole TO-247. Transistors - IGBTs - Single
Lixinc Electronics Весь мир	NGTB20N120LWG Rochester Electronics	129 ₽	Купить
Рутоника Россия и страны СНГ	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB20N120LWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
• DC Collector Current: 40 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 192 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)