Datasheet NGTB20N120LWG - ON Semiconductor Даташит IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3 — Даташит

Купить NGTB20N120LWG на РадиоЛоцман.Цены — от 117 до 1 073 ₽ 16 предложений от 15 поставщиков Incorporated into the device is a rugged co?packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Софт-Логистик Россия	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	341 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить
727GS Весь мир	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	NGTB20N120LWG ON Semiconductor	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: IGBT, 1200 В, 20 А, FS1, TO-247-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NGTB20N120LWG IGBT
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Field Stop (FS) Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on-state voltage and minimal switching loss.

The IGBT is well suited for resonant or soft switching applications. Incorporated into the device is a rugged co-packaged free wheeling diode with a low forward voltage.
Features
http://onsemi.com
· · · · · · · · ·

Спецификации:

• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.8 В
• DC Collector Current: 40 А
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-247
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Рассеиваемая мощность: 192 Вт
• Тип транзистора: IGBT
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)